半導(dǎo)體技術(shù)雜志

    主辦單位:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所
    主管單位:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司

    半導(dǎo)體技術(shù)雜志基本信息 北大期刊 統(tǒng)計(jì)源期刊

    《半導(dǎo)體技術(shù)》由趙小寧擔(dān)任主編,由中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所主辦的一本電子類北大期刊、統(tǒng)計(jì)源期刊。該刊創(chuàng)刊于1976年。主要刊登電子學(xué)科方面有創(chuàng)見的學(xué)術(shù)論文,介紹有特色的科研成果,探討有新意的學(xué)術(shù)觀點(diǎn)提供交流平臺(tái),擴(kuò)大國(guó)內(nèi)外同行學(xué)術(shù)交流。本刊為月刊,A4開本,全年定價(jià)¥316.00元。郵發(fā)代號(hào):18-65,歡迎廣大讀者訂閱或投稿。

    基本信息:
    ISSN:1003-353X
    CN:13-1109/TN
    期刊類別:電子
    郵發(fā)代號(hào):18-65
    全年訂價(jià):¥ 316.00
    出版信息:
    創(chuàng)刊時(shí)間:1976
    出版地區(qū):河北
    出版周期:月刊
    出版語言:中文
    主編:趙小寧
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    半導(dǎo)體技術(shù)雜志介紹

    《半導(dǎo)體技術(shù)》是一本由中國(guó)電子科技集團(tuán)公司主管,中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所主辦的一本面向國(guó)內(nèi)外公開發(fā)行的電子類期刊,該刊主要報(bào)道電子相關(guān)領(lǐng)域的研究成果與實(shí)踐。該刊已入選北大期刊、統(tǒng)計(jì)源期刊。 影響因子為0.57 《半導(dǎo)體技術(shù)》主要內(nèi)容欄目有趨勢(shì)與展望、半導(dǎo)體集成電路、半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體制備技術(shù)、先進(jìn)封裝技術(shù)。

    《半導(dǎo)體技術(shù)》主要發(fā)文機(jī)構(gòu)有:中國(guó)電子科技集團(tuán)第十三研究所(發(fā)文量715篇),該機(jī)構(gòu)主要研究主題為“電路;晶體管;集成電路;單片;放大器”;河北工業(yè)大學(xué)(發(fā)文量261篇),該機(jī)構(gòu)主要研究主題為“CMP;化學(xué)機(jī)械拋光;機(jī)械拋光;拋光液;拋光”;中國(guó)科學(xué)院(發(fā)文量254篇),該機(jī)構(gòu)主要研究主題為“半導(dǎo)體;電路;激光;激光器;晶體管”。

    《半導(dǎo)體技術(shù)》主要發(fā)文主題有半導(dǎo)體、電路、集成電路、晶體管、芯片、放大器、封裝、二極管、單片、功耗。其中又以”半導(dǎo)體(1081篇)”居于榜首,發(fā)文量第二的是“電路”(1033篇),發(fā)文量第三的是“集成電路”(768篇),發(fā)文主題最少的是“功耗”,僅發(fā)文168篇。

    半導(dǎo)體技術(shù)影響力及榮譽(yù)

    半導(dǎo)體技術(shù)投稿注意事項(xiàng)

    1、來稿要求:

    本刊歡迎下列來稿:電子及相關(guān)學(xué)科領(lǐng)域的研究方面的論著,反映國(guó)內(nèi)外電子學(xué)術(shù)動(dòng)態(tài)的述評(píng)、論著、綜述、講座、學(xué)術(shù)爭(zhēng)鳴的文稿,以及有指導(dǎo)意義的電子書刊評(píng)價(jià)等。文稿應(yīng)具科學(xué)性、先進(jìn)性、新穎性和實(shí)用性,內(nèi)容翔實(shí),簡(jiǎn)明扼要,重點(diǎn)突出,文字?jǐn)?shù)據(jù)務(wù)求準(zhǔn)確,層次清楚,標(biāo)點(diǎn)符號(hào)準(zhǔn)確,圖表規(guī)范,書寫規(guī)范。本刊不接受已公開發(fā)表的文章,嚴(yán)禁一稿兩投。對(duì)于有涉嫌學(xué)術(shù)不端行為的稿件,編輯部將一律退稿,來稿確保不涉及保密、署名無爭(zhēng)議等,文責(zé)自負(fù)。

    2、作者簡(jiǎn)介:

    述評(píng)、專家論壇、指南解讀欄目來稿請(qǐng)附第一作者及通信作者的個(gè)人簡(jiǎn)介及近照。個(gè)人簡(jiǎn)介內(nèi)容包括職稱、職務(wù)、學(xué)術(shù)兼職、主要研究領(lǐng)域、主要研究成果、所獲重大榮譽(yù)獎(jiǎng)項(xiàng)等,字?jǐn)?shù)以 100~300 字為宜。近照以 2 寸免冠彩色證件照為宜,格式為“.jpg”,像素不得低于 300 dpi。

    3、文題:

    文題力求簡(jiǎn)明、醒目,反映文稿主題,中文文題控制在 20 個(gè)漢字以內(nèi)。題名中應(yīng)避免使用非公知公用的縮略語、字符、代號(hào)以及結(jié)構(gòu)式和公式。有英文摘要者同時(shí)給出英文文題,中英文文題含義應(yīng)一致。

    4、圖表:

    文中所有圖表均需為作者自行制作而非引用他人文獻(xiàn)中的圖表。圖表力求簡(jiǎn)明,設(shè)計(jì)應(yīng)科學(xué),避免與正文重復(fù)。凡能用少量文字說明的數(shù)據(jù)資料盡量不用圖表。正文與表中數(shù)據(jù)應(yīng)認(rèn)真核對(duì),準(zhǔn)確無誤,表內(nèi)數(shù)據(jù)同一指標(biāo)的有效位數(shù)應(yīng)一致。

    半導(dǎo)體技術(shù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)

    • 總發(fā)文量:2255
    • 總被引量:7023
    • 平均引文率:6.5067
    • H指數(shù):22
    • 期刊他引率:0.8215
    主要發(fā)文機(jī)構(gòu)分析
    機(jī)構(gòu)名稱 發(fā)文量 主要研究主題
    中國(guó)電子科技集團(tuán)第十三研究所 715 電路;晶體管;集成電路;單片;放大器
    河北工業(yè)大學(xué) 261 CMP;化學(xué)機(jī)械拋光;機(jī)械拋光;拋光液;拋光
    中國(guó)科學(xué)院 254 半導(dǎo)體;電路;激光;激光器;晶體管
    中國(guó)科學(xué)院微電子研究所 216 電路;晶體管;放大器;功耗;低功耗
    清華大學(xué) 177 電路;集成電路;封裝;半導(dǎo)體;芯片
    復(fù)旦大學(xué) 161 電路;集成電路;封裝;有限元;芯片
    北京工業(yè)大學(xué) 136 晶體管;可靠性;異質(zhì)結(jié);二極管;雙極晶體管
    西安電子科技大學(xué) 110 電路;集成電路;放大器;晶體管;轉(zhuǎn)換器
    電子科技大學(xué) 102 電路;集成電路;放大器;單片;晶體管
    華南理工大學(xué) 100 電路;晶體管;封裝;半導(dǎo)體;可靠性
    主要資助項(xiàng)目分析
    資助項(xiàng)目 涉及文獻(xiàn)
    國(guó)家自然科學(xué)基金 1019
    國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃 203
    國(guó)家科技重大專項(xiàng) 164
    國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃 160
    河北省自然科學(xué)基金 77
    國(guó)家教育部博士點(diǎn)基金 71
    北京市自然科學(xué)基金 41
    廣東省自然科學(xué)基金 40
    天津市自然科學(xué)基金 38
    江蘇省自然科學(xué)基金 35
    年度被引次數(shù)報(bào)告
    年度參考文獻(xiàn)報(bào)告

    半導(dǎo)體技術(shù)文章摘錄

    • p型SiC歐姆接觸理論及研究進(jìn)展 作者:黃玲琴; 夏馬力; 谷曉鋼
    • 芯片原子鐘MEMS原子氣室數(shù)字溫控系統(tǒng)設(shè)計(jì) 作者:劉召軍; 李坤; 李云超; 胡旭文; 閆樹斌; 張彥軍
    • 一種高精度高轉(zhuǎn)換效率的LED驅(qū)動(dòng)電路 作者:唐俊龍; 羅磊; 周斌騰; 肖仕勛; 謝海情; 鄒望輝
    • 一種高線性無源雙平衡混頻器 作者:曲韓賓; 高思鑫; 張曉朋; 高博
    • 無凹槽AlGaN/GaN肖特基勢(shì)壘二極管正向電流輸運(yùn)機(jī)制 作者:吳昊; 康玄武; 楊兵; 張靜; 趙志波; 孫躍; 鄭英奎; 魏珂; 閆江
    • 藍(lán)寶石襯底上槽柵型X波段增強(qiáng)型AlGaN/GaN HEMT 作者:顧國(guó)棟; 敦少博; 郭紅雨; 韓婷婷; 呂元杰; 房玉龍; 張志榮; 馮志紅
    • 《半導(dǎo)體技術(shù)》稿約 作者:--
    • 第13屆國(guó)際專用集成電路會(huì)議征稿通知 作者:--
    • 鈍化處理對(duì)Al2O3/InP MOS電容界面特性的影響 作者:李海鷗; 李璽; 李躍; 劉英博; 孫堂友; 李琦; 李陳成; 陳永和
    • NH3等離子體鈍化對(duì)Al2O3/SiGe界面的影響 作者:朱軒民; 張靜; 馬雪麗; 李曉婷; 閆江; 李永亮; 王文武
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