半導(dǎo)體信息雜志

    主辦單位:中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會分立器件分會;中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所
    主管單位:中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會分立器件專業(yè)協(xié)會 信息產(chǎn)業(yè)部電子第五十五研究所

    半導(dǎo)體信息雜志基本信息 部級期刊

    《半導(dǎo)體信息》由--擔(dān)任主編,由中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會分立器件分會;中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所主辦的一本電子類部級期刊。該刊創(chuàng)刊于1990年。主要刊登電子學(xué)科方面有創(chuàng)見的學(xué)術(shù)論文,介紹有特色的科研成果,探討有新意的學(xué)術(shù)觀點(diǎn)提供交流平臺,擴(kuò)大國內(nèi)外同行學(xué)術(shù)交流。本刊為雙月刊,A4開本,歡迎廣大讀者訂閱或投稿。

    基本信息:
    ISSN:--
    CN:--
    期刊類別:電子
    郵發(fā)代號:--
    出版信息:
    創(chuàng)刊時(shí)間:1990
    出版地區(qū):江蘇
    出版周期:雙月刊
    出版語言:中文
    主編:--
    評價(jià)信息:
    影響因子:0.01
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    半導(dǎo)體信息雜志介紹

    《半導(dǎo)體信息》是一本由中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會分立器件專業(yè)協(xié)會 信息產(chǎn)業(yè)部電子第五十五研究所主管,中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會分立器件分會;中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所主辦的一本面向國內(nèi)外公開發(fā)行的電子類期刊,該刊主要報(bào)道電子相關(guān)領(lǐng)域的研究成果與實(shí)踐。該刊已入選部級期刊。 影響因子為0.01 《半導(dǎo)體信息》主要內(nèi)容欄目有企業(yè)指南、國內(nèi)外半導(dǎo)體技術(shù)與器件、市場動態(tài)。

    《半導(dǎo)體信息》主要發(fā)文機(jī)構(gòu)有:信息產(chǎn)業(yè)部(發(fā)文量1篇),該機(jī)構(gòu)主要研究主題為“用戶數(shù);知識產(chǎn)權(quán);司長;通信;通信產(chǎn)業(yè)”。

    《半導(dǎo)體信息》主要發(fā)文主題有半導(dǎo)體、芯片、晶圓、電路、封裝、晶體管、半導(dǎo)體市場、集成電路、通信、GAN。其中又以”半導(dǎo)體(1755篇)”居于榜首,發(fā)文量第二的是“芯片”(805篇),發(fā)文量第三的是“晶圓”(448篇),發(fā)文主題最少的是“GAN”,僅發(fā)文238篇。

    半導(dǎo)體信息影響力及榮譽(yù)

    半導(dǎo)體信息投稿注意事項(xiàng)

    1、來稿要求:

    本刊歡迎下列來稿:電子及相關(guān)學(xué)科領(lǐng)域的研究方面的論著,反映國內(nèi)外電子學(xué)術(shù)動態(tài)的述評、論著、綜述、講座、學(xué)術(shù)爭鳴的文稿,以及有指導(dǎo)意義的電子書刊評價(jià)等。文稿應(yīng)具科學(xué)性、先進(jìn)性、新穎性和實(shí)用性,內(nèi)容翔實(shí),簡明扼要,重點(diǎn)突出,文字?jǐn)?shù)據(jù)務(wù)求準(zhǔn)確,層次清楚,標(biāo)點(diǎn)符號準(zhǔn)確,圖表規(guī)范,書寫規(guī)范。本刊不接受已公開發(fā)表的文章,嚴(yán)禁一稿兩投。對于有涉嫌學(xué)術(shù)不端行為的稿件,編輯部將一律退稿,來稿確保不涉及保密、署名無爭議等,文責(zé)自負(fù)。

    2、作者簡介:

    述評、專家論壇、指南解讀欄目來稿請附第一作者及通信作者的個(gè)人簡介及近照。個(gè)人簡介內(nèi)容包括職稱、職務(wù)、學(xué)術(shù)兼職、主要研究領(lǐng)域、主要研究成果、所獲重大榮譽(yù)獎(jiǎng)項(xiàng)等,字?jǐn)?shù)以 100~300 字為宜。近照以 2 寸免冠彩色證件照為宜,格式為“.jpg”,像素不得低于 300 dpi。

    3、文題:

    文題力求簡明、醒目,反映文稿主題,中文文題控制在 20 個(gè)漢字以內(nèi)。題名中應(yīng)避免使用非公知公用的縮略語、字符、代號以及結(jié)構(gòu)式和公式。有英文摘要者同時(shí)給出英文文題,中英文文題含義應(yīng)一致。

    4、圖表:

    文中所有圖表均需為作者自行制作而非引用他人文獻(xiàn)中的圖表。圖表力求簡明,設(shè)計(jì)應(yīng)科學(xué),避免與正文重復(fù)。凡能用少量文字說明的數(shù)據(jù)資料盡量不用圖表。正文與表中數(shù)據(jù)應(yīng)認(rèn)真核對,準(zhǔn)確無誤,表內(nèi)數(shù)據(jù)同一指標(biāo)的有效位數(shù)應(yīng)一致。

    半導(dǎo)體信息數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)

    • 總發(fā)文量:1777
    • 總被引量:120
    • 平均引文率:--
    • H指數(shù):3
    • 期刊他引率:--
    主要發(fā)文機(jī)構(gòu)分析
    機(jī)構(gòu)名稱 發(fā)文量 主要研究主題
    信息產(chǎn)業(yè)部 1 用戶數(shù);知識產(chǎn)權(quán);司長;通信;通信產(chǎn)業(yè)
    年度被引次數(shù)報(bào)告
    年度參考文獻(xiàn)報(bào)告

    半導(dǎo)體信息文章摘錄

    • 國防科技工業(yè)科學(xué)技術(shù)委員會在京成立 作者:--
    • 江蘇省5G產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟成立 作者:--
    • 工信部:2020年將啟動6G研發(fā)速度每秒1TB 作者:--
    • Ⅱ-Ⅵ和Sumitomo合作開發(fā)150mm GaN-on-SiC HEMT 作者:--
    • 英飛凌推出可量產(chǎn)的氮化鎵解決方案 作者:--
    • 氧化鎵溝槽肖特基勢壘二極管具有超低泄漏 作者:--
    • 氮化鎵垂直溝道結(jié)場效應(yīng)晶體管 作者:--
    • 千瓦級GaN解決方案問世 作者:--
    • 硅基氮化鎵微絲陣列用于紫外光電探測 作者:--
    • TI推出即用型600V GaN FET功率級該系列可支持10kW的應(yīng)用條件 作者:--
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