Journal of Semiconductors雜志

Journal of Semiconductors雜志介紹

《Journal of Semiconductors》是一本由中國(guó)科學(xué)院主管，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所;中國(guó)電子學(xué)會(huì)主辦的一本面向國(guó)內(nèi)外公開發(fā)行的電力類期刊，該刊主要報(bào)道電力相關(guān)領(lǐng)域的研究成果與實(shí)踐。該刊已入選CSCD期刊、統(tǒng)計(jì)源期刊。 影響因子為0.17 《Journal of Semiconductors》主要內(nèi)容欄目有研究快報(bào)、研究論文、研究簡(jiǎn)報(bào)、技術(shù)進(jìn)展。

《Journal of Semiconductors》主要發(fā)文機(jī)構(gòu)有：中國(guó)科學(xué)院（發(fā)文量1375篇），該機(jī)構(gòu)主要研究主題為“半導(dǎo)體；激光；激光器；砷化鎵；GAAS”；清華大學(xué)（發(fā)文量433篇），該機(jī)構(gòu)主要研究主題為“電路；集成電路；CMOS；半導(dǎo)體；VLSI”；復(fù)旦大學(xué)（發(fā)文量371篇），該機(jī)構(gòu)主要研究主題為“電路；硅；半導(dǎo)體；集成電路；CMOS”。

《Journal of Semiconductors》主要發(fā)文主題有半導(dǎo)體、CMOS、電路、激光、發(fā)光、硅、GAAS、晶體管、激光器、砷化鎵。其中又以”半導(dǎo)體（540篇）”居于榜首，發(fā)文量第二的是“CMOS”（316篇），發(fā)文量第三的是“電路”（277篇），發(fā)文主題最少的是“砷化鎵”，僅發(fā)文205篇。

Journal of Semiconductors影響力及榮譽(yù)

• CSCD 中國(guó)科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫(kù)來源期刊(含擴(kuò)展版)
• 統(tǒng)計(jì)源期刊(中國(guó)科技論文優(yōu)秀期刊)
• 知網(wǎng)收錄(中)
• 維普收錄(中)
• 萬方收錄(中)
• EI 工程索引(美)
• CA 化學(xué)文摘(美)
• SA 科學(xué)文摘(英)
• JST 日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)庫(kù)(日)
• Pж(AJ) 文摘雜志(俄)
• 劍橋科學(xué)文摘
• 國(guó)家圖書館館藏
• 上海圖書館館藏
• 文摘與引文數(shù)據(jù)庫(kù)
• 文摘雜志
• 全國(guó)優(yōu)秀科技期刊
• 中國(guó)科技期刊優(yōu)秀期刊

Journal of Semiconductors投稿注意事項(xiàng)

1、來稿要求：

本刊歡迎下列來稿：電力及相關(guān)學(xué)科領(lǐng)域的研究方面的論著，反映國(guó)內(nèi)外電力學(xué)術(shù)動(dòng)態(tài)的述評(píng)、論著、綜述、講座、學(xué)術(shù)爭(zhēng)鳴的文稿，以及有指導(dǎo)意義的電力書刊評(píng)價(jià)等。文稿應(yīng)具科學(xué)性、先進(jìn)性、新穎性和實(shí)用性，內(nèi)容翔實(shí)，簡(jiǎn)明扼要，重點(diǎn)突出，文字?jǐn)?shù)據(jù)務(wù)求準(zhǔn)確，層次清楚，標(biāo)點(diǎn)符號(hào)準(zhǔn)確，圖表規(guī)范，書寫規(guī)范。本刊不接受已公開發(fā)表的文章，嚴(yán)禁一稿兩投。對(duì)于有涉嫌學(xué)術(shù)不端行為的稿件，編輯部將一律退稿，來稿確保不涉及保密、署名無爭(zhēng)議等，文責(zé)自負(fù)。

2、作者簡(jiǎn)介：

述評(píng)、專家論壇、指南解讀欄目來稿請(qǐng)附第一作者及通信作者的個(gè)人簡(jiǎn)介及近照。個(gè)人簡(jiǎn)介內(nèi)容包括職稱、職務(wù)、學(xué)術(shù)兼職、主要研究領(lǐng)域、主要研究成果、所獲重大榮譽(yù)獎(jiǎng)項(xiàng)等，字?jǐn)?shù)以 100～300 字為宜。近照以 2 寸免冠彩色證件照為宜，格式為“.jpg”，像素不得低于 300 dpi。

3、文題：

文題力求簡(jiǎn)明、醒目，反映文稿主題，中文文題控制在 20 個(gè)漢字以內(nèi)。題名中應(yīng)避免使用非公知公用的縮略語、字符、代號(hào)以及結(jié)構(gòu)式和公式。有英文摘要者同時(shí)給出英文文題，中英文文題含義應(yīng)一致。

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文中所有圖表均需為作者自行制作而非引用他人文獻(xiàn)中的圖表。圖表力求簡(jiǎn)明，設(shè)計(jì)應(yīng)科學(xué)，避免與正文重復(fù)。凡能用少量文字說明的數(shù)據(jù)資料盡量不用圖表。正文與表中數(shù)據(jù)應(yīng)認(rèn)真核對(duì)，準(zhǔn)確無誤，表內(nèi)數(shù)據(jù)同一指標(biāo)的有效位數(shù)應(yīng)一致。