主辦單位:中國電子科技集團(tuán)公司第48研究所
主管單位:信息產(chǎn)業(yè)部
《微細(xì)加工技術(shù)》由伍三忠擔(dān)任主編,由中國電子科技集團(tuán)公司第48研究所主辦的一本電子類統(tǒng)計源期刊。該刊創(chuàng)刊于1983年。主要刊登電子學(xué)科方面有創(chuàng)見的學(xué)術(shù)論文,介紹有特色的科研成果,探討有新意的學(xué)術(shù)觀點提供交流平臺,擴(kuò)大國內(nèi)外同行學(xué)術(shù)交流。本刊為雙月刊,A4開本,歡迎廣大讀者訂閱或投稿。
《微細(xì)加工技術(shù)》是一本由信息產(chǎn)業(yè)部主管,中國電子科技集團(tuán)公司第48研究所主辦的一本面向國內(nèi)外公開發(fā)行的電子類期刊,該刊主要報道電子相關(guān)領(lǐng)域的研究成果與實踐。該刊已入選統(tǒng)計源期刊。 《微細(xì)加工技術(shù)》主要內(nèi)容欄目有綜述、電子束技術(shù)、離子束技術(shù)、光子束技術(shù)、薄膜技術(shù)、微機(jī)械加工技術(shù)、納米技術(shù)。
《微細(xì)加工技術(shù)》主要發(fā)文機(jī)構(gòu)有:中國科學(xué)院(發(fā)文量192篇),該機(jī)構(gòu)主要研究主題為“光刻;電子束曝光;曝光機(jī);電子束曝光機(jī);掩模”;上海交通大學(xué)(發(fā)文量129篇),該機(jī)構(gòu)主要研究主題為“微機(jī)電系統(tǒng);電系統(tǒng);機(jī)電系統(tǒng);MEMS;刻蝕”;清華大學(xué)(發(fā)文量60篇),該機(jī)構(gòu)主要研究主題為“微細(xì);光刻;微細(xì)加工;離子束;聚焦離子束”。
《微細(xì)加工技術(shù)》主要發(fā)文主題有光刻、離子注入、電子束曝光、刻蝕、半導(dǎo)體、電路、微細(xì)、集成電路、微細(xì)加工、曝光機(jī)。其中又以”光刻(151篇)”居于榜首,發(fā)文量第二的是“離子注入”(105篇),發(fā)文量第三的是“電子束曝光”(79篇),發(fā)文主題最少的是“曝光機(jī)”,僅發(fā)文57篇。
1、來稿要求:
本刊歡迎下列來稿:電子及相關(guān)學(xué)科領(lǐng)域的研究方面的論著,反映國內(nèi)外電子學(xué)術(shù)動態(tài)的述評、論著、綜述、講座、學(xué)術(shù)爭鳴的文稿,以及有指導(dǎo)意義的電子書刊評價等。文稿應(yīng)具科學(xué)性、先進(jìn)性、新穎性和實用性,內(nèi)容翔實,簡明扼要,重點突出,文字?jǐn)?shù)據(jù)務(wù)求準(zhǔn)確,層次清楚,標(biāo)點符號準(zhǔn)確,圖表規(guī)范,書寫規(guī)范。本刊不接受已公開發(fā)表的文章,嚴(yán)禁一稿兩投。對于有涉嫌學(xué)術(shù)不端行為的稿件,編輯部將一律退稿,來稿確保不涉及保密、署名無爭議等,文責(zé)自負(fù)。
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述評、專家論壇、指南解讀欄目來稿請附第一作者及通信作者的個人簡介及近照。個人簡介內(nèi)容包括職稱、職務(wù)、學(xué)術(shù)兼職、主要研究領(lǐng)域、主要研究成果、所獲重大榮譽獎項等,字?jǐn)?shù)以 100~300 字為宜。近照以 2 寸免冠彩色證件照為宜,格式為“.jpg”,像素不得低于 300 dpi。
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文題力求簡明、醒目,反映文稿主題,中文文題控制在 20 個漢字以內(nèi)。題名中應(yīng)避免使用非公知公用的縮略語、字符、代號以及結(jié)構(gòu)式和公式。有英文摘要者同時給出英文文題,中英文文題含義應(yīng)一致。
4、圖表:
文中所有圖表均需為作者自行制作而非引用他人文獻(xiàn)中的圖表。圖表力求簡明,設(shè)計應(yīng)科學(xué),避免與正文重復(fù)。凡能用少量文字說明的數(shù)據(jù)資料盡量不用圖表。正文與表中數(shù)據(jù)應(yīng)認(rèn)真核對,準(zhǔn)確無誤,表內(nèi)數(shù)據(jù)同一指標(biāo)的有效位數(shù)應(yīng)一致。
機(jī)構(gòu)名稱 | 發(fā)文量 | 主要研究主題 |
中國科學(xué)院 | 192 | 光刻;電子束曝光;曝光機(jī);電子束曝光機(jī);掩模 |
上海交通大學(xué) | 129 | 微機(jī)電系統(tǒng);電系統(tǒng);機(jī)電系統(tǒng);MEMS;刻蝕 |
清華大學(xué) | 60 | 微細(xì);光刻;微細(xì)加工;離子束;聚焦離子束 |
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué) | 47 | 刻蝕;離子束;離子束刻蝕;光刻;衍射 |
電子工業(yè)部 | 46 | 離子注入;注入機(jī);離子注入機(jī);半導(dǎo)體;電路 |
中國科學(xué)院微電子研究所 | 38 | 光刻;掩模;X射線光刻;電子束曝光;分辨率 |
中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所 | 34 | 光柵;MEMS;刻蝕;光刻;傳感 |
山東大學(xué) | 29 | 電子束;電子束曝光;曝光機(jī);電子束光刻;電子束曝光機(jī) |
山東工業(yè)大學(xué) | 28 | 電子束曝光;曝光機(jī);電子束曝光機(jī);電子束;電路 |
華中理工大學(xué) | 26 | 刻蝕;濺射;半導(dǎo)體;等離子體;離子束 |
資助項目 | 涉及文獻(xiàn) |
國家自然科學(xué)基金 | 256 |
國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃 | 65 |
國家重點基礎(chǔ)研究發(fā)展計劃 | 54 |
國家教育部博士點基金 | 17 |
國家重點實驗室開放基金 | 15 |
山東省自然科學(xué)基金 | 13 |
中國科學(xué)院知識創(chuàng)新工程 | 11 |
中國博士后科學(xué)基金 | 10 |
上海市自然科學(xué)基金 | 8 |
中國科學(xué)院知識創(chuàng)新工程重要方向項目 | 8 |